这次快充不怕谷歌的白眼了

      和骁龙835一起到来的还有Quick Chrage 4快速充电技术，实际上，就在公布前不久，高通的Quick Chrage快充技术正经受着考验。谷歌在最新的Android兼容性定义文档中强烈建议OEM厂商不要在Type-C设备上使用具有收费专利的充电技术，而应该使用标准的USB PD供电协议，将矛头直指高通Quick Charge为代表的一众第三方快充技术。

      根据USB Type-C 3.1接口的规范，充电电压应保持在4.45－5.25伏之间，而高通QC 3.1所需要的电压便远超USB Type-C线的标准，由于这项技术是基于非标准信号及非标准USB连接，的确导致了各种兼容性问题。而且因为各手机内部配置不同、充电速率不同，如果用户混用设备，可能会造成安全隐患。USB-PD充电协议便旨在推广标准3A Type-C型充电器，实现兼容又相对可靠的快充。

      现在Quick Charge 4的到来显示高通已经做好了接招的准备：集成对USB Type-C和USB-PD的支持。这可能意味着，未来搭载Quick Charge 4的不同手机之间，混用充电器同样可以实现快充了。

      当然还有更快的充电速度，高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%，仅五分钟的充电，手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内，可充入高达 50%的电池电量。

15分钟充电50%，Quick Charge 4的充电效率提升达30%

            Quick Charge 4的升级也包括对发热的控制，采用高通第三版INOV电源管理算法（最佳电压智能协商），据说加入了行业首创的实时散热管理技术，让你的手机在充电时温度更低，较上一代最多可以降低5摄氏度。毕竟因为三星Note7事件，大家越来越重视充电过热的问题。

      这主要是基于配置骁龙835的手机拥有电流电压的三重防护，以及防止过热的四重防护，而骁龙835也能管理电池使用寿命，让用户使用更长时间。也就是说，骁龙835将首先搭载Quick Charge 4。